Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=8.4 A, 3针, TO-252, CoolMOS™ CE系列
- RS 库存编号:
- 130-0902P
- 制造商零件编号:
- IPD60R800CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 130-0902P
- 制造商零件编号:
- IPD60R800CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS™ CE | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V, -30V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 8.4A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS™ CE | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V, -30V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供广泛而全面的 MOSFET 器件产品组合，涵盖 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。这些器件以业界领先的性能实现更高效率、功率密度与成本效益。对于需要高品质和增强保护功能的设计，采用符合 AEC-Q101 行业标准的汽车级 MOSFET 将带来显著优势。