Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=4 A, 3针, TO-252, CoolMOS P7系列

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包装方式：
RS 库存编号:
130-0906
制造商零件编号:
IPD80R1K4P7ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

800V

系列

CoolMOS P7

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

32W

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

高度

2.41mm

标准/认证

No

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

汽车标准

否

Infineon CoolMOS™P7 功率 MOSFET


800V CoolMOS P7 功率 MOSFET 系列可实现更高效率和热性能。合适的应用为电源适配器、LED 照明、音频、工业和辅助电源。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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