Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 4 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™ P7系列
- RS 库存编号:
- 130-0906
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 130-0906
- 制造商零件编号:
- IPD80R1K4P7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 系列 | CoolMOS™ P7 | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 32 W | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 0.9V | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
系列 CoolMOS™ P7 | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 1.4 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 32 W | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
长度 6.73mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 0.9V | ||
高度 2.41mm | ||
Infineon CoolMOS™P7 功率 MOSFET
800V CoolMOS P7 功率 MOSFET 系列可实现更高效率和热性能。合适的应用为电源适配器、LED 照明、音频、工业和辅助电源。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。