Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=550 V, 4.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IPN50R1K4CEATMA1, CoolMOS CE系列
- RS 库存编号:
- 130-0911
- 制造商零件编号:
- IPN50R1K4CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | RMB1.581 | RMB39.53 |
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| 1500 + | RMB1.487 | RMB37.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 130-0911
- 制造商零件编号:
- IPN50R1K4CEATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 550V | |
| 系列 | CoolMOS CE | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| 正向电压 Vf | 0.83V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.8A | ||
最大漏源电压 Vd 550V | ||
系列 CoolMOS CE | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.2nC | ||
正向电压 Vf 0.83V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.7mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。