制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=550 V, Id=4.8 A, 4针, SOT-223, CoolMOS CE系列

RS 库存编号:: 130-0911
制造商零件编号:: IPN50R1K4CEATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=550 V, Id=4.8 A, 4针, SOT-223, CoolMOS CE系列

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RS 库存编号:: 130-0911
制造商零件编号:: IPN50R1K4CEATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	4.8A
	最大漏源电压 Vd	550V
	系列	CoolMOS CE
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	1.4Ω
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	0.83V
	最大功耗 Pd	5W
	最大栅源电压 Vgs	-30V, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	8.2nC
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	150°C
	宽度	3.7mm
	标准/认证	No
	长度	6.7mm
	高度	1.7mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 4.8A
	最大漏源电压 Vd 550V
	系列 CoolMOS CE
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 1.4Ω
	通道模式增强
	正向电压 Vf 0.83V
	最大功耗 Pd 5W
	最大栅源电压 Vgs -30V, +30V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.2nC
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 150°C
	宽度 3.7mm
	标准/认证 No
	长度 6.7mm
	高度 1.7mm
	汽车标准否

Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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