Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=550 V, Id=6.6 A, 4针, SOT-223, CoolMOS CE系列

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RS 库存编号:
130-0916
制造商零件编号:
IPN50R950CEATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.6A

最大漏源电压 Vd

550V

包装类型

SOT-223

系列

CoolMOS CE

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

950mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10.5nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

5W

正向电压 Vf

0.83V

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

3.7mm

长度

6.7mm

高度

1.7mm

汽车标准

否

Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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