Infineon N型沟道增强型功率晶体管, Vds=30 V, 50 A, TO-220, 表面, 通孔安装, 3引脚, IPP055N03LGXKSA1, OptiMOS 3系列

RS 库存编号:: 130-0923
制造商零件编号:: IPP055N03LGXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型功率晶体管, Vds=30 V, 50 A, TO-220, 表面, 通孔安装, 3引脚, IPP055N03LGXKSA1, OptiMOS 3系列

可享批量折扣

小计（1 包，共 10 件）*

¥40.00

(不含税)

¥45.20

最后的 RS 库存

最终 110 个，准备发货

单位	每单位	每包*
10 - 10	RMB4.00	RMB40.00
20 - 20	RMB3.88	RMB38.80
30 +	RMB3.764	RMB37.64

* 参考价格

RS 库存编号:: 130-0923
制造商零件编号:: IPP055N03LGXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id	50A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	OptiMOS 3
	包装类型	TO-220
	安装类型	表面, 通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	5.5mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	68W
	正向电压 Vf	1.1V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	±20 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	31nC
	最高工作温度	175°C
	宽度	4.57 mm
	长度	10.36mm
	标准/认证	IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	高度	15.95mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id 50A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 OptiMOS 3
	包装类型 TO-220
	安装类型表面, 通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 5.5mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 68W
	正向电压 Vf 1.1V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs ±20 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC
	最高工作温度 175°C
	宽度 4.57 mm
	长度 10.36mm
	标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC (J-STD20,JESD22), RoHS
	高度 15.95mm
	汽车标准否

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET，50A 最大连续漏极电流，30V 最大漏极源极电压 - IPP055N03LGXKSA1

这款高性能 MOSFET 专为包括电源管理系统在内的各种电子应用而设计。它采用通孔 TO-220 封装，尺寸为 10.36mm x 4.57mm x 15.95mm。该设备特别适用于自动化和电气行业，可确保在严格的条件下实现最佳性能。

特点和优势

• 快速开关功能提高了电源应用的效率

• 低漏极-源极导通电阻最大限度地减少了运行期间的功率损耗

• 通过雪崩认证，可在压力下提高耐用性

• 逻辑级 N 沟道设计可与低压驱动器兼容

• 最大持续耗尽电流为 50A ，可支持要求苛刻的任务

应用

• 用于电源中的 DC/DC 转换

• 高效转换器同步整流的理想选择

• 促进工业自动化系统中的电机控制

• 用于电动汽车电池管理系统

• 适用于消费电子产品和可再生能源

在功率应用中，低 RDS(on) 有什么意义？

较低的 RDS（on）可减少导通压降，从而直接降低发热量并提高效率。这对于在大电流应用中保持性能至关重要，可确保减少热能浪费。

这种 MOSFET 在工作时如何处理高温？

它的最高工作温度为 +175 °C，具有强大的热特性，可在挑战性环境中可靠运行，而不会降低性能。

哪类应用可受益于增强型晶体管设计？

增强型晶体管具有出色的电流控制能力，因此被广泛应用于开关应用中，是高效电源管理解决方案的理想选择。这包括它们在电源和直流电机中的应用。

Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=30 V, 50 A, TO-220, 表面, 通孔安装, 3引脚, IPP055N03LGXKSA1, OptiMOS 3系列