Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 37.9 A, TO-220, 通孔安装, 4引脚, IPP60R099P6XKSA1, CoolMOS P6系列
- RS 库存编号:
- 130-0924
- 制造商零件编号:
- IPP60R099P6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPP60R099P6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 37.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS P6 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 70nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 15.95mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 37.9A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS P6 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 70nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 15.95mm | ||
长度 10.36mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 CoolMOS™ P6 系列 MOSFET，37.9A 最大连续漏极电流，278W 最大功率耗散 - IPP60R099P6XKSA1
这款 MOSFET 专为需要高效电源管理的高性能应用而定制。它的最大连续漏极电流为 37.9A，漏极-源极额定电压为 650V，在自动化和电子领域表现出色。其增强模式 N 沟道配置可实现有效的开关功能，是电气和机械行业专业人士的首选。
特点和优势
• 99mΩ 的低 RDS（on）提高了开关效率
• 可耗散高达 278 瓦的功率，增强了耐用性
• 在高达 +150°C 的高温下也能正常工作
• 超过 2kV 的 ESD 保护确保可靠运行
• 适用于硬开关和软开关应用
• 采用 TO-220 封装，可灵活选择安装方式
应用
• 用于 PFC 阶段，以实现高效的功率转换
• 适用于硬开关 PWM 阶段，以提高性能
• 是各种电子产品中谐振开关级的理想选择
• 用于电子设备的适配器和电源中
• 适用于要求高功率的工业自动化系统
适合工作的栅极-源极电压范围是多少？
适当的栅源电压工作范围为 -30V 至 +30V，确保安全有效的开关。
低 RDS(on) 值如何提高功率效率？
低电阻减少了传导损耗，从而提高了功率效率，降低了运行过程中的发热量。
使用过程中的最大功率耗散能力是多少？
运行期间的最大功率耗散能力为 278 瓦，可在严峻的条件下实现稳健的性能。
在并联配置中使用该组件有什么特殊考虑吗？
并联使用时，建议在栅极上使用铁氧体磁珠或独立的图腾柱，以优化性能并尽量减少振荡。
应实施哪些热管理措施？
有效的热管理措施包括适当的散热和运行期间的温度监控，以将性能保持在规定的范围内。