Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=135 V, Id=129 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
130-0937
制造商零件编号:
IRF135S203
制造商:
Infineon
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产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

129A

最大漏源电压 Vd

135V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

8.4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

180nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

441W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

高度

9.65mm

汽车标准

否

StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon


Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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