Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 86 A, MN, 表面安装, 4引脚, IRF6648TRPBF

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130-0948
制造商零件编号:
IRF6648TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

86A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

MN

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

89W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

5.05 mm

高度

0.5mm

长度

6.35mm

汽车标准

DirectFET® 功率 MOSFET,Infineon


DirectFET® 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻

封装电阻极低,尽量减少传导损耗

高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性

薄型,仅 0.7mm

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。