Infineon N沟道增强型MOS管 DirectFET, HEXFET系列, Vds=40 V, 270 A, L8封装, 表面贴装, 9 + Tab引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
130-0953
制造商零件编号:
IRF7739L1TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

270 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

L8

安装类型

贴片

引脚数目

9 + Tab

最大漏源电阻值

1 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

125 W

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+175 °C

长度

9.15mm

典型栅极电荷@Vgs

220 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

宽度

7.1mm

高度

0.57mm

系列

DirectFET, HEXFET

正向二极管电压

1.3V

最低工作温度

-55 °C

DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon


DirectFET® 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。

在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低，尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，仅 0.7mm


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。