Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 100 A, PQFN 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
130-0979
制造商零件编号:
IRFH5250DTRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

100 A

最大漏源电压

25 V

封装类型

PQFN 5 x 6

系列

HEXFET

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

2.2 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.35V

最小栅阈值电压

1.35V

最大功率耗散

156 W

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

5mm

长度

6mm

典型栅极电荷@Vgs

83 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1V

高度

0.85mm

N 通道功率 MOSFET，12V 至 25V，Infineon


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