Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=25 V, 100 A, PQFN 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 130-0979P
- 制造商零件编号:
- IRFH5250DTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1995 | RMB13.984 |
| 2000 + | RMB13.562 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 130-0979P
- 制造商零件编号:
- IRFH5250DTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | PQFN 5 x 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.35V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.35V | |
| 最大功率耗散 | 156 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 83 nC @ 10 V | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 正向二极管电压 | 1V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 PQFN 5 x 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 2.2 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.35V | ||
最小栅阈值电压 1.35V | ||
最大功率耗散 156 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 83 nC @ 10 V | ||
长度 6mm | ||
宽度 5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.85mm | ||
正向二极管电压 1V | ||