Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 71 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 130-0990
- 制造商零件编号:
- IRFR7546TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 130-0990
- 制造商零件编号:
- IRFR7546TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 71 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.9 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大功率耗散 | 99 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.39mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 58 nC @ 20 V | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 71 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 7.9 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.7V | ||
最小栅阈值电压 2.1V | ||
最大功率耗散 99 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.39mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 58 nC @ 20 V | ||
高度 6.22mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon
Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，71A 最大连续漏极电流，99W 最大功率耗散 - IRFR7546TRPBF
这款高性能 MOSFET 专为需要高效电源管理的各种应用而设计。该产品规格坚固，非常适合要求耐用性和大电流功能的应用场合。它常用于自动化和电气应用领域，在不同环境下都能表现出卓越的性能特点。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 71A
• 额定最大漏极-源极电压为 60V
• 低导通电阻提高了功率传输效率
• DPAK 封装设计便于表面安装
• 高功率耗散能力改善了热管理
• 增强模式运行可优化开关性能
• 额定最大漏极-源极电压为 60V
• 低导通电阻提高了功率传输效率
• DPAK 封装设计便于表面安装
• 高功率耗散能力改善了热管理
• 增强模式运行可优化开关性能
应用
• 适用于有刷电机驱动
• 适用于电池供电电路设计
• 采用半桥和全桥拓扑结构
• 在同步整流器中有效
• 应用于直流/直流和交流/直流电源转换系统
• 适用于电池供电电路设计
• 采用半桥和全桥拓扑结构
• 在同步整流器中有效
• 应用于直流/直流和交流/直流电源转换系统
连续运行的热规范是什么？
它支持 99W 的最大功率耗散，确保在适当条件下高效运行而不会过热。
它在高温环境下的性能如何？
该器件可在 +175°C 的最高结温下高效工作，因此可用于具有挑战性的场合。
有哪些安装选项？
它采用 DPAK 封装的表面贴装设计，可直接集成到 PCB 上，同时节省空间。
栅极电压有限制吗？
是的，栅极到源极电压不得超过 ±20V，以确保安全工作条件。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。