Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 71 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR7546TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 130-0990P
- 制造商零件编号:
- IRFR7546TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 490 | RMB5.755 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 130-0990P
- 制造商零件编号:
- IRFR7546TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 71A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 99W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 2.39 mm | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 71A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 99W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 2.39 mm | ||
高度 6.22mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，71A 最大连续漏极电流，99W 最大功率耗散 - IRFR7546TRPBF
这款高性能 MOSFET 专为需要高效电源管理的各种应用而设计。该产品规格坚固，非常适合要求耐用性和大电流功能的应用场合。它常用于自动化和电气应用领域，在不同环境下都能表现出卓越的性能特点。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 71A
• 额定最大漏极-源极电压为 60V
• 低导通电阻提高了功率传输效率
• DPAK 封装设计便于表面安装
• 高功率耗散能力改善了热管理
• 增强模式运行可优化开关性能
应用
• 适用于有刷电机驱动
• 适用于电池供电电路设计
• 采用半桥和全桥拓扑结构
• 在同步整流器中有效
• 应用于直流/直流和交流/直流电源转换系统
连续运行的热规范是什么？
它支持 99W 的最大功率耗散，确保在适当条件下高效运行而不会过热。
它在高温环境下的性能如何？
该器件可在 +175°C 的最高结温下高效工作，因此可用于具有挑战性的场合。
有哪些安装选项？
它采用 DPAK 封装的表面贴装设计，可直接集成到 PCB 上，同时节省空间。
栅极电压有限制吗？
是的，栅极到源极电压不得超过 ±20V，以确保安全工作条件。
有哪些措施可提高运行期间的可靠性？
通过雪崩和动态 dV/dt 保护功能提高了坚固性，确保了在各种条件下的可靠性能。