Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 130-1000P
- 制造商零件编号:
- IRFS4020TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRFS4020TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 105mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 9.65mm | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| Distrelec Product Id | 304-36-991 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 105mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
高度 9.65mm | ||
宽度 4.83 mm | ||
Distrelec Product Id 304-36-991 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，100W 最大功率耗散 - IRFS4020TRLPBF
这款 MOSFET 专为优化 D 类音频放大器应用中的性能而设计。先进的处理技术可降低导通电阻，同时提高效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。它能在高温下有效工作，因此适用于各种环境。
特点和优势
• 专为高效 D 类音频放大而设计
• 低 Rds(on) 提高了整体效率
• 工作结温高达 175°C，确保坚固耐用
• 重复雪崩功能可防止电压尖峰
应用
• 用于 D 类音频放大器，改善音质
• 大电流供电的理想选择
• 适用于消费和专业音频设备
• 用于高性能汽车音响系统
最大持续漏极电流是多少？
在 25°C 温度条件下，该器件可处理最大 18A 的连续漏极电流。
该设备能否在高温下运行？
是的，它可以在高达 175°C 的温度下有效工作。
它可以用于哪些配置？
它适用于音频放大器中的半桥配置，可提供强大的功率输出。
栅极电荷过低对性能有何影响？
低栅极电荷提高了效率，缩短了开启时间，从而提高了放大器的整体性能。
是否与表面贴装技术兼容？
是的，该器件采用 D2PAK 封装，非常适合表面贴装应用。