Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 8.1 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 130-1013P
- 制造商零件编号:
- IRL6372TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 1000 件 (以卷装提供)*
¥2,908.00
(不含税)
¥3,286.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 15,200 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1000 - 1975 | RMB2.908 |
| 2000 + | RMB2.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 130-1013P
- 制造商零件编号:
- IRL6372TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 23mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-36-992 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.1A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 23mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
长度 5mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-36-992 | ||
N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。