Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=20 V, 7.2 A, PQFN, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列

RS 库存编号:: 130-1018P
制造商零件编号:: IRLHS2242TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型 MOSFET, Vds=20 V, 7.2 A, PQFN, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRLHS2242TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	7.2A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	PQFN
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	6
	最大漏源电阻 Rd	53mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12nC
	最大功耗 Pd	9.6W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大栅源电压 Vgs	12 V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	2.1 mm
	高度	0.95mm
	长度	2.1mm
	Distrelec Product Id	304-36-993
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 7.2A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 PQFN
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 6
	最大漏源电阻 Rd 53mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC
	最大功耗 Pd 9.6W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf -1.2V
	最大栅源电压 Vgs 12 V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 2.1 mm
	高度 0.95mm
	长度 2.1mm
	Distrelec Product Id 304-36-993
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，7.2A 最大连续漏极电流，9.6W 最大功率耗散 - IRLHS2242TRPBF

这款表面贴装 MOSFET 适合需要高效开关的应用。其低导通电阻与 HEXFET 技术相结合，可将功率损耗降至最低，因此适用于各种电子电路中的电源管理任务。它的最高额定温度范围为 -55°C 至 +150°C ，可在极具挑战性的条件下有效运行。

特点和优势

• 低 Rds(on)确保了高效率并减少了发热量

• 可处理 7.2A 的连续漏极电流，性能强劲

• 紧凑型 6 引脚 DFN 封装便于集成到有限的空间内

• 增强模式操作可提供多种设计选项

• 具有出色的耐热性，使用寿命更长

应用

• 用于自动化系统中的系统/负载开关

• 电池管理中充放电切换的理想选择

• 适用于要求高效率的紧凑型电子设备

• 用于电气控制系统和电源管理电路

低 Rds(on) 特性有何意义？

低 Rds（on）特性可减少传导损耗，提高整体效率，并在运行期间保持较低温度，这对大功率应用至关重要。

该组件如何管理热性能？

它的最高额定温度为 +150°C ，热阻低，散热性能好，可确保在高负荷条件下稳定运行。

能否应对不同的运行环境？

是的，它能在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效工作，因此适用于各种气候条件下的严格应用。

它适合高频应用吗？

MOSFET 的设计支持高速开关，因此在现代电子产品的高频应用中非常有效。

要达到最佳性能，有哪些安装要求？

为达到最佳效果，应将其安装在具有适当热管理功能的印刷电路板上，以优化散热和电气连接。

Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 7.2 A, PQFN, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列