Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=270 A, 3针, TO-263, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
130-1027
制造商零件编号:
IRLS3036TRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

270A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

16V

最大功耗 Pd

380W

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

91nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

9.65mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

标准/认证

No

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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