Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 247 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
包装方式：
RS 库存编号:
130-1028
制造商零件编号:
IRLS3813TRLPBF
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

247 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.95 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.35V

最小栅阈值电压

1.35V

最大功率耗散

195 W

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

10.67mm

典型栅极电荷@Vgs

55 nC @ 4.5 V

宽度

9.65mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

高度

4.83mm

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.3V

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

客制化产品，不可取消或退货，遵循RS销售条款。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。