Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 157 A, VSON, 表面安装, 8引脚, CSD19502Q5BT, NexFET系列

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RS 库存编号:
133-0154
制造商零件编号:
CSD19502Q5BT
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

157A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

NexFET

包装类型

VSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

4.8mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

195W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

130nC

正向电压 Vf

0.8V

最高工作温度

150°C

高度

1.05mm

宽度

5.1 mm

标准/认证

No

长度

6.1mm

汽车标准

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


MOSFET 晶体管,Texas Instruments