Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 15 A, SOP, 贴片安装, 8引脚, U-MOSVIII-H系列

品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

15 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOP

系列

U-MOSVIII-H

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

12.9 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.3V

最小栅阈值电压

1.3V

最大功率耗散

1.9 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

宽度

3.9mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

9.8 nC @ 10 V

长度

4.9mm

正向二极管电压

1.2V

高度

1.52mm