Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 37 A, TSON, 贴片安装, 8引脚, U-MOSVIII-H系列

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
133-2817
制造商零件编号:
TPN8R903NL,LQ(S
制造商:
Toshiba
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

37 A

最大漏源电压

30 V

系列

U-MOSVIII-H

封装类型

TSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

12.7 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.3V

最小栅阈值电压

1.3V

最大功率耗散

22 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

长度

3.1mm

宽度

3.1mm

典型栅极电荷@Vgs

9.8 nC @ 10 V

高度

0.85mm

正向二极管电压

1.2V


MOSFET 晶体管，Toshiba