制造商编号

ROHM N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 3.7 A, TO-3PFM, 通孔安装, 3引脚, SCT2H12NZGC11, SCT2H12NZ系列

RS 库存编号:: 133-2860
制造商零件编号:: SCT2H12NZGC11
制造商:: ROHM

ROHM N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 3.7 A, TO-3PFM, 通孔安装, 3引脚, SCT2H12NZGC11, SCT2H12NZ系列

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制造商零件编号:: SCT2H12NZGC11
制造商:: ROHM

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3.7A
	最大漏源电压 Vd	1700V
	系列	SCT2H12NZ
	包装类型	TO-3PFM
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.5Ω
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	21nC
	正向电压 Vf	4.3V
	最大功耗 Pd	35W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	Pb-free lead plating, RoHS
	高度	21mm
	长度	16mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3.7A
	最大漏源电压 Vd 1700V
	系列 SCT2H12NZ
	包装类型 TO-3PFM
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.5Ω
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC
	正向电压 Vf 4.3V
	最大功耗 Pd 35W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 Pb-free lead plating, RoHS
	高度 21mm
	长度 16mm
	汽车标准否

ROHM N型沟道增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 3.7 A, TO-3PFM, 通孔安装, 3引脚, SCT2H12NZGC11, SCT2H12NZ系列

N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM

MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor

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