ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 3.7 A, TO-3PFM, 通孔安装, 3引脚, SCT2H12NZGC11, SCT2H12NZ系列

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制造商零件编号:
SCT2H12NZGC11
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

3.7A

最大漏源电压 Vd

1700V

系列

SCT2H12NZ

包装类型

TO-3PFM

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.5Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

35W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

21nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

4.3V

最大栅源电压 Vgs

22 V

最高工作温度

175°C

宽度

5 mm

长度

16mm

标准/认证

Pb-free lead plating, RoHS

高度

21mm

汽车标准

N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM


MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor