DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=14.2 A, 6针, UDFN, DMN2011UFDF系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 包,共 20 件)*

RMB78.06

(不含税)

RMB88.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年4月19日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
20 - 740RMB3.903RMB78.06
760 - 1480RMB3.785RMB75.70
1500 +RMB3.672RMB73.44

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
133-3344
制造商零件编号:
DMN2011UFDF-7
制造商:
DiodesZetex
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

14.2A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

UDFN

系列

DMN2011UFDF

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

35mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

700mV

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

2.05mm

长度

2.05mm

高度

580μm

汽车标准

AEC-Q101

N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.


相关链接