DiodesZetex N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=14.2 A, 6针, UDFN, DMN2011UFDF系列

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包装方式:
RS 库存编号:
133-3344P
制造商零件编号:
DMN2011UFDF-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

14.2A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

DMN2011UFDF

包装类型

UDFN

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

35mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.1W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

700mV

最高工作温度

150°C

高度

580μm

宽度

2.05mm

长度

2.05mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,12V 至 28V,Diodes Inc


MOSFET 晶体管,Diodes Inc.


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