Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC0901NSATMA1, OptiMOS™系列

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制造商零件编号:
BSC0901NSATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

381A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

OptiMOS™

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

81W

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

标准/认证

RoHS

宽度

6.35 mm

长度

5.35mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V


OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

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Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。