Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=45.5 A, 8针, SO-8, TrenchFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
134-9696
制造商零件编号:
SIRA88DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

45.5A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

TrenchFET

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.8nC

最大功耗 Pd

25W

最高工作温度

150°C

宽度

5.26mm

高度

1.12mm

标准/认证

No

长度

6.25mm

汽车标准

否

N 通道 MOSFET，TrenchFET Gen IV，Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


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