Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=8 A, 6针, TSOP, TrenchFET系列

小计 25 件 (按连续条带形式提供)*

RMB117.38

(不含税)

RMB132.63

(含税)

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单位
每单位
25 +RMB4.695

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
134-9713P
制造商零件编号:
SI3493DDV-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

TSOP

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

51mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-8V, +8V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34.8nC

最大功耗 Pd

3.6W

正向电压 Vf

-1.2V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

3.1mm

宽度

1.7mm

标准/认证

No

汽车标准

否

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen IV,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


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