Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 60 A, PowerPAK SO-8, 贴片安装, 8引脚

小计 5 件 (按连续条带形式提供)*

¥92.31

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包装方式:
RS 库存编号:
134-9718P
制造商零件编号:
SIR158DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

60 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

PowerPAK SO-8

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

2.3 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1.2V

最大功率耗散

83 W

晶体管配置

最大栅源电压

-20 V、+20 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

5.26mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

87 nC @ 10 V

长度

6.25mm

正向二极管电压

1.1V

最低工作温度

-55 °C

高度

1.12mm

N 通道 MOSFET,TrenchFET 高达 Gen III,Vishay Semiconductor



MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor