Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 24.2 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR692DP-T1-RE3, SiR692DP系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥72.58

(不含税)

¥82.015

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 6,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
5 - 745RMB14.516RMB72.58
750 - 1495RMB14.08RMB70.40
1500 +RMB13.658RMB68.29

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
134-9731
制造商零件编号:
SIR692DP-T1-RE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

24.2A

最大漏源电压 Vd

250V

系列

SiR692DP

包装类型

SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

67mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25.3nC

最大功耗 Pd

104W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

6.25mm

高度

1.12mm

宽度

5.26 mm

汽车标准

N 通道 MOSFET,TrenchFET 高达 Gen III,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor