onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 109 A, WDFN, 贴片安装, 8引脚, NVTFS5C658NL系列
- RS 库存编号:
- 141-2086
- 制造商零件编号:
- NVTFS5C658NLTAG
- 制造商:
- onsemi
供应短缺
由于全球供应短缺，我们暂时不知道何时会恢复库存。
- RS 库存编号:
- 141-2086
- 制造商零件编号:
- NVTFS5C658NLTAG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 109 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 系列 | NVTFS5C658NL | |
| 封装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 7.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 114 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，27 常闭 | |
| 宽度 | 3.15mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 109 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
系列 NVTFS5C658NL | ||
封装类型 WDFN | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 7.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 114 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 3.15mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭 | ||
宽度 3.15mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
高度 0.75mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，ON Semiconductor