onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 163 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, NVD5C434NT4G, NVD5C434N系列

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包装方式:
RS 库存编号:
141-3991
制造商零件编号:
NVD5C434NT4G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

163A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

NVD5C434N

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.1mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

117W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80.6nC

最高工作温度

175°C

宽度

6.22 mm

高度

2.38mm

长度

6.73mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

N 通道功率 MOSFET,40V,ON Semiconductor


MOSFET 晶体管,ON Semiconductor