ROHM 半桥 N型沟道 增强型 SiC 电源模块, Vds=1200 V, 240 A, 表面安装, 4引脚, BSM120D12P2C005, BSM系列

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制造商零件编号:
BSM120D12P2C005
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

产品类型

SiC 电源模块

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

240A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

BSM

安装类型

表面

引脚数目

4

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

22 V

最大功耗 Pd

250W

最低工作温度

-40°C

晶体管配置

半桥

最高工作温度

150°C

长度

122mm

宽度

45.6 mm

高度

17mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
JP

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


SiC 电源模块,ROHM


该模块包含碳化硅 (SiC) DMOS 电源 FET 设备,肖特基势垒二极管 (SBD) 横跨漏极和源极。

半桥配置

低浪涌电流

低功率切换损耗

高速切换

低工作温度

MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC 电源模块不包括肖特基势垒二极管。