ROHM N沟道增强型SiC 电源模块, Vds=1200 V, 120 A, C, 贴片安装, 4引脚, BSM系列

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RS 库存编号:
144-2257
制造商零件编号:
BSM120D12P2C005
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

通道类型

N

最大连续漏极电流

120 A

最大漏源电压

1200 V

封装类型

C

系列

BSM

安装类型

贴片

引脚数目

4

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

1.6V

最大功率耗散

935 W

每片芯片元件数目

2

最高工作温度

+150 °C

宽度

45.6mm

长度

122mm

晶体管材料

SiC

高度

17mm

最低工作温度

-40 °C

COO (Country of Origin):
JP

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor