Vishay N沟道增强型MOS管 D Series系列, Vds=500 V, 5.3 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
145-1985
制造商零件编号:
SIHP5N50D-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

通道类型

N

最大连续漏极电流

5.3 A

最大漏源电压

500 V

封装类型

TO-220AB

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.5 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

104 W

晶体管配置

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

10 nC @ 10 V

长度

10.51mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

4.65mm

每片芯片元件数目

1

系列

D Series

高度

9.01mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道 MOSFET,D 系列高电压,Vishay Semiconductor



MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor