Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=20 V, 1.1 A, SC-88, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 145-2681
- 制造商零件编号:
- SI1967DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
小计（1 卷，共 3000 件）*
RMB4,002.00
(不含税)
RMB4,521.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年11月13日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB1.334 | RMB4,002.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-2681
- 制造商零件编号:
- SI1967DH-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SC-88 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 790mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8V | |
| 最大功耗 Pd | 1.25W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.1A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SC-88 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 790mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 8V | ||
最大功耗 Pd 1.25W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
宽度 1.35mm | ||
长度 2.2mm | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay TrenchFET系列功率MOSFET,20 V最大漏源电压,1.1 A最大连续漏电流 - SI1967DH-T1-GE3
此功率 MOSFET 是 P 通道表面贴装晶体管,设计用于紧凑型电子系统中的低电压开关。它作为增强模式设备运行,专为需要适度电流处理和小尺寸的板级电源控制而设计。
特性和优点：
• 20 V 漏源额定值可实现低电压系统部署 • 1. 1A 连续漏电流支持轻型电源切换 • 790 mΩ 低 Rds(on) 可减少运行过程中的导电损耗 • 2.6nC 典型栅极电荷,可实现更快的栅极转换 • 1.25W 功耗可在小型组件中管理热负载 • 双元件隔离晶体管,可实现对接开关排列
应用
• 适用于便携式设备中的电池管理和电源导轨切换 • 适用于工业控制模块的负载切换 • 用于嵌入式系统中的反极性保护 • 可用于混合电压电路中的信号电平移动
在设计 PCB 时,我应该考虑哪种封装?
该设备采用 6‐Pin SC‐88 SMD 封装,占用空间紧凑,适用于高密度板。
温度对运行限制有何影响?
该组件专为在 -55°C 至 150°C 温度范围内运行,可定义允许的环境和接点环境,以实现可靠的开关。
此组件是否可用于汽车系统?
它不符合汽车标准,因此应在使用前根据车辆认证要求进行合适性评估。
控制信号允许的栅极电压范围是多少?
栅极驱动不得超过 8V 栅极至源极限,以避免设备过度压力。
芯片上有多少晶体管元件,它们是什么配置?
该芯片包含两个隔离元件,配置用于实现对接或独立开关排列。