onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=250 V, 69 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, UniFET系列
- RS 库存编号:
- 145-4400
- 制造商零件编号:
- FDA69N25
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计(1 管,共 30 件)*
¥620.25
(不含税)
¥700.89
(含税)
有库存
- 另外 210 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB20.675 | RMB620.25 |
| 150 + | RMB20.261 | RMB607.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-4400
- 制造商零件编号:
- FDA69N25
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 69 A | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 系列 | UniFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 41 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 480 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 5mm | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 20.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 69 A | ||
最大漏源电压 250 V | ||
封装类型 TO-3PN | ||
系列 UniFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 41 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 480 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 77 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 5mm | ||
长度 15.8mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 20.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。
该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合,包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。
