onsemi N型沟道 增强型 QFET MOSFET, Vds=200 V, 9.5 A, TO-220F, 通孔安装, 3引脚, FQPF10N20C, QFET系列
- RS 库存编号:
- 145-4532
- 制造商零件编号:
- FQPF10N20C
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB5.756 | RMB287.80 |
| 100 - 150 | RMB5.583 | RMB279.15 |
| 200 + | RMB5.416 | RMB270.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-4532
- 制造商零件编号:
- FQPF10N20C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | QFET MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | TO-220F | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.36Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 72W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 9.19mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 长度 | 10.16mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 QFET MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.5A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 TO-220F | ||
系列 QFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.36Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 72W | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 9.19mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.7 mm | ||
长度 10.16mm | ||
汽车标准 否 | ||
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
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