onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=250 V, 4.4 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
RS 库存编号:
145-4674
制造商零件编号:
FDU6N25
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

4.4 A

最大漏源电压

250 V

封装类型

IPAK (TO-251)

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.1 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

50 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

长度

6.8mm

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

10 V 时，4.5 常闭

每片芯片元件数目

1

宽度

2.5mm

最高工作温度

+150 °C

系列

UniFET

高度

7.57mm

最低工作温度

-55 °C

UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

客制化产品，不可取消或退货，遵循RS销售条款。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。