onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, QFET系列, FQP20N06
- RS 库存编号:
- 145-5365
- 制造商零件编号:
- FQP20N06
- 制造商:
- onsemi
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- FQP20N06
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最大功耗 Pd | 53W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 QFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最大功耗 Pd 53W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.1mm | ||
高度 9.4mm | ||
宽度 4.7mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
QFET® N 沟道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 新型 QFet® 平面 MOSFET 采用先进的专有技术，为电源、功率因数校正 (PFC)、DC-DC 转换器、等离子显示屏 (PDP)、照明镇流器及运动控制等广泛应用提供业界领先的工作性能。
通过降低导通电阻 (RDS(on)) 减少导通损耗，并借助降低栅极电荷 (Qg) 与输出电容 (Coss) 来降低开关损耗。通过采用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild Semiconductor 能够提供优于竞争性平面 MOSFET 器件的优化品质因数 (FOM)。
MOSFET 晶体管，ON Semi
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ON Semi MOSFET 器件通过降低电压尖峰与过冲、减少结电容及反向恢复电荷、无需额外外部元件等优势，提供卓越的设计可靠性，确保系统持续稳定运行更长时间。