Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS P6系列, Vds=650 V, 20 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
145-8598
制造商零件编号:
IPP60R190P6XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

20 A

最大漏源电压

650 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

190 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.5V

最小栅阈值电压

3.5V

最大功率耗散

151 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

37 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

正向二极管电压

0.9V

最低工作温度

-55 °C

系列

CoolMOS P6

高度

15.95mm

COO (Country of Origin):
MY

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET


Infineon 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。

客制化产品，不可取消或退货，遵循RS销售条款。


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。