Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=13 A, 3针, TO-247, CoolMOS C7系列

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RS 库存编号:
145-8738
制造商零件编号:
IPW65R190C7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

700V

系列

CoolMOS C7

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

190mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最大功耗 Pd

72W

最高工作温度

150°C

宽度

21.1mm

高度

5.21mm

长度

16.13mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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