Infineon N沟道增强型MOS管 StrongIRFET系列, Vds=60 V, 298 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 145-8770
- 制造商零件编号:
- IRL60S216
- 制造商:
- Infineon
不可供应
RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 145-8770
- 制造商零件编号:
- IRL60S216
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 298 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.2 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.4V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 10.67mm | |
| 长度 | 11.33mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 170 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 系列 | StrongIRFET | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 298 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.2 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.4V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 375 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 10.67mm | ||
长度 11.33mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 4.83mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
系列 StrongIRFET | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon
是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
适用于电池供电系统
应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
适用于电池供电系统
应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。