Infineon N沟道耗尽型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 130 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
145-8823
制造商零件编号:
BSS159NH6906XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

130 mA

最大漏源电压

60 V

封装类型

SOT-23

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

8 Ω

通道模式

耗尽

最大栅阈值电压

2.4V

最小栅阈值电压

3.5V

最大功率耗散

360 mW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

长度

2.9mm

典型栅极电荷@Vgs

1.4 nC @ 5 V

每片芯片元件数目

1

宽度

1.3mm

最高工作温度

+150 °C

系列

SIPMOS

最低工作温度

-55 °C

高度

1mm

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。