Infineon P沟道增强型MOS管 OptiMOS P系列, Vds=20 V, 500 mA, SOT-323 (SC-70)封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 145-8837
- 制造商零件编号:
- BSS209PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
不可供应
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- RS 库存编号:
- 145-8837
- 制造商零件编号:
- BSS209PWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 500 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-323 (SC-70) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1 nC @ 4.5 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 系列 | OptiMOS P | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 500 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-323 (SC-70) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.6V | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 2mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 1 nC @ 4.5 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.8mm | ||
系列 OptiMOS P | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™P P通道功率MOSFET
Infineon OptiMOS™ P通道功率MOSFET设计用于提供增强功能，以满足高质量性能要求。功能包括超低开关损耗，通态电阻，雪崩额定值以及通过AEC认证的汽车解决方案。应用包括DC-DC，电机控制，汽车和eMobility。
增强模式
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C
耐雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合RoHS标准
标准封装
OptiMOS™P通道系列：温度范围为-55°C至+175°C
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。