Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 100 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS™ 5系列

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RS 库存编号:
145-9237
制造商零件编号:
IPP029N06NAKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

100 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

TO-220

系列

OptiMOS™ 5

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

4.4 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.3V

最小栅阈值电压

2.1V

最大功率耗散

136 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

4.57mm

最高工作温度

+175 °C

典型栅极电荷@Vgs

56 nC @ 10 V

长度

10.36mm

晶体管材料

Si

高度

15.95mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MY

Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET


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MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。