Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 80 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IPI086N10N3GXKSA1, OptiMOS 3系列

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制造商零件编号:
IPI086N10N3GXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-262

系列

OptiMOS 3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

15.4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

125W

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

高度

11.177mm

宽度

4.57 mm

标准/认证

No

长度

10.36mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET，80A 最大连续漏极电流，125W 最大功率耗散 - IPI086N10N3GXKSA1


这款 MOSFET 专为高效电源管理应用而设计，适用于自动化和电子等各个领域。它的持续漏极电流为 80A，最大漏极-源极电压为 100V，可为电子系统提供可靠、高效的解决方案。

特点和优势


• N 沟道设计优化了电气性能

• 低 RDS(on) 降低功率损耗

• 高功率耗散能力可满足密集型应用的需要

• 增强型栅极阈值提高了开关效率

• 通孔安装便于集成到电路中

应用


• 用于电源的高频开关

• 促进转换器电路的同步整流

• 适用于需要高效功率控制的工业自动化系统

• 应用于各种电子设备，提高能源效率

• 适用于汽车 要求性能稳定

该设备的低 RDS(on) 有什么意义？


较低的 RDS(on) 值最大程度地减少了开关过程中的能量损失，从而提高了系统的整体性能。

MOSFET 如何应对高温？


其设计工作温度最高可达 175°C，即使在严峻的环境条件下也能确保性能稳定。

该组件需要哪种安装方式？


它采用通孔安装设计，便于直接集成到现有的 PCB 布局中。

是否适合用于同步整流？


是的，它专为电力电子设备中的高效同步整流而设计，可促进整体节能。

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。