Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=700 V, 13 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ C7系列
- RS 库存编号:
- 145-9334
- 制造商零件编号:
- IPP65R190C7FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-9334
- 制造商零件编号:
- IPP65R190C7FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 13 A | |
| 最大漏源电压 | 700 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS™ C7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 72 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 15.95mm | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 正向二极管电压 | 0.9V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 13 A | ||
最大漏源电压 700 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS™ C7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 190 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 72 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 15.95mm | ||
长度 10.36mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.57mm | ||
正向二极管电压 0.9V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。