Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 190 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

RS Stock No.:: 145-9431
Mfr. Part No.:: IRF1404ZPBF
Brand:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 190 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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RS Stock No.:: 145-9431
Mfr. Part No.:: IRF1404ZPBF
Brand:: Infineon

Specifications

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Product Details

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Select all	Attribute	Value
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	190A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	100nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	220W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	高度	8.77mm
	长度	10.54mm
	标准/认证	No
	宽度	4.69 mm
	汽车标准	否

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	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 190A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 100nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 220W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	高度 8.77mm
	长度 10.54mm
	标准/认证 No
	宽度 4.69 mm
	汽车标准否

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，180A 最大连续漏极电流，40V 最大漏极源极电压 - IRF1404ZPBF

这种 MOSFET 是一种高性能功率元件，专为汽车和工业领域的各种应用而设计。它具有 180A 的强大连续漏极电流和 40V 的最大漏极-源极电压，在苛刻的环境中表现出色。TO-220AB 封装类型便于安装，可确保高效集成到电子电路和系统中。

特点和优势

• 采用 HEXFET 技术，提高效率

• 设计用于增强模式，以优化切换

• 提供快速切换速度，提高整体效率

• 可重复雪崩，提高可靠性

应用

• 适用于电机控制电路

• 用于电源和转换器

• 设计用于汽车

• 适用于各种工业自动化系统

• 有效的电源管理和开关

低导通电阻对我的应用有何益处？

2.7mΩ 的低导通电阻降低了传导损耗，提高了电源转换和能源管理系统的整体效率。

如果设备超过最高工作温度会发生什么情况？

超过 +175°C 的最高工作温度会导致性能下降和潜在故障，因此需要进行适当的热管理。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 190 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

Infineon HEXFET 系列 MOSFET，180A 最大连续漏极电流，40V 最大漏极源极电压 - IRF1404ZPBF

特点和优势

应用

低导通电阻对我的应用有何益处？

如果设备超过最高工作温度会发生什么情况？

可以并行配置吗？

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=40 V, 190 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列