Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 190 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列

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145-9431
制造商零件编号:
IRF1404ZPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

190A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

100nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

220W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

宽度

4.69 mm

长度

10.54mm

高度

8.77mm

汽车标准

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,180A 最大连续漏极电流,40V 最大漏极源极电压 - IRF1404ZPBF


这种 MOSFET 是一种高性能功率元件,专为汽车和工业领域的各种应用而设计。它具有 180A 的强大连续漏极电流和 40V 的最大漏极-源极电压,在苛刻的环境中表现出色。TO-220AB 封装类型便于安装,可确保高效集成到电子电路和系统中。

特点和优势


• 采用 HEXFET 技术,提高效率

• 设计用于增强模式,以优化切换

• 提供快速切换速度,提高整体效率

• 可重复雪崩,提高可靠性

应用


• 适用于电机控制电路

• 用于电源和转换器

• 设计用于汽车

• 适用于各种工业自动化系统

• 有效的电源管理和开关

低导通电阻对我的应用有何益处?


2.7mΩ 的低导通电阻降低了传导损耗,提高了电源转换和能源管理系统的整体效率。

如果设备超过最高工作温度会发生什么情况?


超过 +175°C 的最高工作温度会导致性能下降和潜在故障,因此需要进行适当的热管理。

可以并行配置吗?


是的,在并联配置中使用时,必须平衡设备之间的电流共享,以避免过热并最大限度地提高性能。