Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 7 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 145-9478
- 制造商零件编号:
- BSC22DN20NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥17,045.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB3.409 | RMB17,045.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-9478
- 制造商零件编号:
- BSC22DN20NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 225mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 34W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 7A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 225mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 34W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.35 mm | ||
长度 5.35mm | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。