Infineon , 2 N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 300 mA, SC-88, 表面安装, 6引脚, OptiMOS系列, 2N7002DWH6327XTSA1
- RS 库存编号:
- 145-9487
- 制造商零件编号:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥1,107.00
(不含税)
¥1,251.00
(含税)
有库存
- 另外 15,000 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB0.369 | RMB1,107.00 |
| 15000 + | RMB0.355 | RMB1,065.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 145-9487
- 制造商零件编号:
- 2N7002DWH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SC-88 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| 正向电压 Vf | 0.96V | |
| 最大功耗 Pd | 500mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 1.25 mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 300mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SC-88 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.4nC | ||
正向电压 Vf 0.96V | ||
最大功耗 Pd 500mW | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 1.25 mm | ||
高度 0.8mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™ 双电源 MOSFET
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。