Infineon , 2 P型, N型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 3.5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 145-9491
- 制造商零件编号:
- IRF9952TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 400mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 3.5A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 400mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，2.3A/3.5A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRF9952TRPBF
这款多功能 MOSFET 采用紧凑型封装，集成了 N 沟道和 P 沟道配置，性能卓越。其设计可在各种电子应用中有效运行，确保效率和可靠性。它的最大漏极电流为 3.5A，最大漏极-源极电压为 30V，适合需要强大开关功能的应用。
特点和优势
• 双通道配置提高了设计灵活性
• 表面贴装设计简化了 PCB 组装
• 低电阻（150mΩ 和 400mΩ）可减少功率损耗
• 高温运行（+150°C）确保极端条件下的可靠性
• 改进的栅极电荷特性提高了开关效率
• 隔离式晶体管配置可最大限度地减少串扰，使信号更纯净
应用
• 电源管理解决方案
• 提高效率的电动汽车系统
• 工业自动化和控制
• 优化性能的可再生能源系统
• 提升设备性能的消费电子产品
该设备的隔离功能对我的应用有何益处？
隔离配置可最大限度地减少电路之间的干扰，确保信号纯净，并防止元件之间产生不必要的相互作用。
该设备在运行时可承受的温度范围是多少？
它可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内工作，因此适用于极端条件。
能否在表面贴装 PCB 设计中使用该产品？
是的，其表面贴装设计可轻松集成到 PCB 布局中，优化空间并提高散热性能。
将其用于开关应用时应考虑哪些因素？
确保不超过 ±20V 的最大栅极源极电压，并验证栅极电荷是否与开关频率一致，以获得最佳性能。
规格对我的能效有何影响？
凭借低导通电阻和高持续漏极电流，这款 MOSFET 可将功率损耗降至最低，从而提高电路设计的整体能效。